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LED上游工业概略简析:三大发光新材料将进入LED照明竞赛范畴
来源:未知 作者:admin 发布时间:2018-09-04 10:17 浏览量:

  LED上游工业概略简析:三大发光新材料将进入LED照明竞赛范畴

  我国LED工业已初具规划,从LED首要技能指标光效来看,还有很大的推动空间,要加大对LED的研制力度,把握LED核心技能,打破国外专利限制,进一步拓宽国内外半导体照明商场,DOE:白光可调光LED灯,扩展我国LED工业规划,为人们供给节能、环保、健康、舒适的照明环境。关于芯片范畴的概略如下(未核算2015年),仅供参考。

  LED衬底简况

  现在用于LED工业化的衬底首要有蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si和GaN。

  Cree用SiC衬底,全球许多企业正在开发Si衬底,东芝从前宣告投产8″Si衬底。其他的企业以蓝宝石为主,全球出产蓝宝石衬底有130多家,其间80多家是近两年参加的。现在以2″和4″衬底片为主,几年后将以6″为主,会到达50%以上。有人猜测2016年蓝宝石、Si和GaN这三类衬底将各占三分之一。近几年全球正在研讨开发许多LED新衬底,并获得打破性发展。

  我国开发、出产蓝宝石衬底的企业50多家,其间已投产20多家,我国出产能力已超越1亿片/年(以2″核算),超越全球的需求量,并且蓝宝石企业直接出产PSS衬底的不多,现在蓝宝石国产化约50%,企业的竞赛力较差,走向转型、整合、兼并是必定的。别的,南昌晶能选用Si衬底量产LED,国内还有许多研讨所、企业正在开发同质衬底、复合衬底和SiC衬底,并获得很大效果。

  LED外延及芯片工业简况

  全球从事LED外延及芯片研制出产单位约169家(还有报道为142家),共有MOCVD设备约3000台(还有报道为2800台),其出产能力以4″核算为200万片/月,其间份额大约为:我国25.8%、台湾21.8%、日本19.2%、韩国17.3%、美国11%、欧洲2.8%。

  我国LED外延及芯片企业50多家,其间投产的30多家,开工率为50~60%,产量超越1000亿只(含小芯片和四元系芯片),产量约84亿元(还有报道为105亿元)。因为国内上游企业过多,大部分企业规划偏小,走向整合、兼并是必定的。别的国内有十几二十家企业正在研制制造MOCVD设备,有的已在上游企业试用或正式投产。还有外延用的MO源:三甲基(镓、铟、铝、锑)、三乙基(镓、锑)、二甲基锌、二乙基(锌、碲)等国产化率已达60%。

  LED首要技能指标

  日亚、飞利浦、欧司郎等几个大企业实验室水平,光效均超越200lm/w,Cree公司实验室光效已超越276 lm/w。首尔半导体npoloLED,宣称在1mm2芯片上要完成1000光通量,三菱化学相同提出达1000lm光通量,称为LED光源的终极目标。日本田村制造提出在2mm见方芯片要完成2000~3000 lm光通量。美国加洲大学圣巴巴拉分校提出光效要到达300 lm/w。美国Soraa公司选用GaN-on-GaN技能制造LED代替灯,使每盏灯用一只LED器材,谱写了LED技能新篇章,即LED2.0版。美国SSL方案修定中提出LED光效工业化水平达266 lm/w为终极目标。现在全球LED工业化光效水平为120~150 lm/w。

  发光新材料

  发光新材料将来有可能进入照明范畴,与LED照明竞赛。