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美国科锐在SiC基片市场上占有较高比例
来源:未知 作者:admin 发布时间:2018-10-10 14:46 浏览量:

  美国科锐在SiC基片市场上占有较高比例

   制造SiC功率元件不行短少的SiC基片(晶圆)的质量在不断提高。不仅是现在干流的直径为4英寸(100mm)的产品,6英寸(150mm)产品的结晶缺点也越来越少。

  美国科锐(Cree)在SiC基片市场上占有较高比例,从该公司在SiC世界学会ICSCRM 2013(2013年9月29日~10月4日于日本宫崎县举办)上宣布的内容来看,到2013年,功率元件用6英寸产品的微管密度在1个/cm2以下,平均水平为0.5个/cm2左右,较好时可到达0.01个/cm2。据预算,选用这种高质量6英寸基片制造10mm见方的功率元件时,合格率高达98.7%。

  科锐以直径为4英寸的基片为例,展现了其基底面位错(BPD)的密度。据科锐介绍,4英寸基片的基底面位错密度为56个/cm2。在基片内17%的规模里,基底面位错为0个,在78%的规模里不到5个。

  据悉,在基底面位错密度为56个/cm2的4英寸基片上层叠厚度为60μm的外延层时,基底面位错的密度会降至2个/cm2。

  别的,与本来比较,还能够削减功率元件用SiC基片的贯穿螺旋位错(TSD)密度。曾经裸基片和外延基片(层叠外延层的基片)的贯穿螺旋位错密度分别为955个/cm2和837个/cm2,现在分降至447个/cm2和429个/cm2,削减了约一半。

  不仅是功率元件用SiC基片,科锐还在从事LED用和高频元件用SiC基片事务。LED用基片方面,ag88环亚娱乐手机登录闽台研讨LE...6英寸产品的结晶缺点密度在2010年为8个/cm2,到2013年现已低于2个/cm2。

  高频元件用基片方面,6英寸产品的微管密度现在为0.14个/cm2。这个水平在制造7mm见方的高频元件时可完成96.3%的成品率。

  

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